LED ប្រពៃណីបានធ្វើបដិវត្តវិស័យពន្លឺ និងការបង្ហាញ ដោយសារតែការដំណើរការដ៏ល្អឥតខ្ចោះរបស់ពួកគេទាក់ទងនឹងប្រសិទ្ធភាព ស្ថេរភាព និងទំហំឧបករណ៍។អំពូល LED ជាធម្មតាជាបណ្តុំនៃខ្សែភាពយន្ត semiconductor ស្តើងដែលមានវិមាត្រក្រោយនៃមីលីម៉ែត្រ ដែលតូចជាងឧបករណ៍ប្រពៃណីដូចជា អំពូល incandescent និងបំពង់ cathode ។ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ កម្មវិធី optoelectronic ដែលកំពុងលេចឡើង ដូចជាការពិតនិម្មិត និង augmented reality ត្រូវការ LEDs ក្នុងទំហំមីក្រូ ឬតិចជាងនេះ។ក្តីសង្ឃឹមគឺថា LED (µleds) ខ្នាតមីក្រូ - ឬ submicron បន្តមានគុណសម្បត្តិល្អ ៗ ជាច្រើនដែល LEDs ប្រពៃណីមានរួចហើយដូចជាការបំភាយដែលមានស្ថេរភាពខ្ពស់ប្រសិទ្ធភាពនិងភាពភ្លឺខ្ពស់ការប្រើប្រាស់ថាមពលទាបបំផុតនិងការបំភាយពណ៌ពេញ។ ខណៈពេលដែលមានទំហំតូចជាងប្រហែលមួយលានដងនៅក្នុងតំបន់ ដែលអនុញ្ញាតឱ្យមានអេក្រង់តូចជាងមុន។បន្ទះសៀគ្វីដឹកនាំបែបនេះក៏អាចត្រួសត្រាយផ្លូវសម្រាប់សៀគ្វី photonic ដែលមានអនុភាពបន្ថែមទៀត ប្រសិនបើពួកវាអាចត្រូវបានដាំដុះបន្ទះឈីបតែមួយនៅលើ Si និងរួមបញ្ចូលជាមួយឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកលោហៈអុកស៊ីដស៊ីម៉ងត៍ (CMOS) បំពេញបន្ថែម។
ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយ រហូតមកដល់ពេលនេះ µleds បែបនេះនៅតែពិបាកយល់ ជាពិសេសនៅក្នុងជួររលកនៃការបញ្ចេញពីពណ៌បៃតងទៅក្រហម។វិធីសាស្រ្តដឹកនាំ µ-led តាមបែបប្រពៃណី គឺជាដំណើរការពីលើចុះក្រោម ដែលខ្សែភាពយន្ត InGaN quantum well (QW) ត្រូវបានឆ្លាក់ចូលទៅក្នុងឧបករណ៍ខ្នាតតូច តាមរយៈដំណើរការឆ្លាក់។ខណៈពេលដែលខ្សែភាពយន្តស្តើង InGaN QW-based tio2 µleds បានទាក់ទាញការចាប់អារម្មណ៍យ៉ាងខ្លាំងដោយសារតែលក្ខណៈសម្បត្តិដ៏ល្អឥតខ្ចោះជាច្រើនរបស់ InGaN ដូចជាការដឹកជញ្ជូនប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព និងការលៃតម្រូវរលកចម្ងាយនៅទូទាំងជួរដែលអាចមើលឃើញ រហូតដល់ពេលនេះពួកគេត្រូវបានញាំញីដោយបញ្ហាដូចជាជញ្ជាំងចំហៀង។ ការខូចខាតច្រេះដែលកាន់តែអាក្រក់ទៅៗ នៅពេលដែលទំហំឧបករណ៍ធ្លាក់ចុះ។លើសពីនេះ ដោយសារតែអត្ថិភាពនៃវាលប៉ូឡូរីស ពួកវាមានអស្ថិរភាពនៃរលក/ពណ៌។ចំពោះបញ្ហានេះ ដំណោះស្រាយបែហោងធ្មែញគ្រីស្តាល់ InGaN និង photonic ដែលមិនមានរាងប៉ូល និងពាក់កណ្តាលប៉ូលត្រូវបានស្នើឡើង ប៉ុន្តែពួកគេមិនពេញចិត្តទេនៅពេលនេះ។
នៅក្នុងអត្ថបទថ្មីមួយដែលត្រូវបានបោះពុម្ពផ្សាយនៅក្នុង Light Science and Applications អ្នកស្រាវជ្រាវដែលដឹកនាំដោយ Zetian Mi សាស្រ្តាចារ្យនៅសាកលវិទ្យាល័យ Michigan រដ្ឋ Annabel បានបង្កើតខ្នាត submicron ពណ៌បៃតង LED iii – nitride ដែលយកឈ្នះលើឧបសគ្គទាំងនេះម្តង និងសម្រាប់ទាំងអស់គ្នា។µleds ទាំងនេះត្រូវបានសំយោគដោយ epitaxy ធ្នឹមម៉ូលេគុលប្លាស្មាជំនួយក្នុងតំបន់ជ្រើសរើស។ផ្ទុយស្រឡះពីវិធីសាស្រ្តប្រពៃណីពីលើចុះក្រោម µled នៅទីនេះមានអារេនៃ nanowires ដែលនីមួយៗមានអង្កត់ផ្ចិតត្រឹមតែ 100 ទៅ 200 nm ដែលបំបែកដោយរាប់សិប nanometers ។វិធីសាស្រ្តចុះក្រោមនេះ យ៉ាងសំខាន់ ជៀសវាងការបំផ្លាញជញ្ជាំងក្រោយ។
ផ្នែកបញ្ចេញពន្លឺរបស់ឧបករណ៍ ដែលត្រូវបានគេស្គាល់ថាជាតំបន់សកម្ម ត្រូវបានផ្សំឡើងដោយរចនាសម្ព័ន្ធ core-shell multiple quantum well (MQW) ដែលកំណត់លក្ខណៈដោយ nanowire morphology ។ជាពិសេស MQW មានអណ្តូង InGaN និងរបាំង AlGaN ។ដោយសារតែភាពខុសគ្នានៃការផ្លាស់ប្តូរអាតូម adsorbed នៃធាតុក្រុមទី III ឥណ្ឌូម ហ្គាលីយ៉ូម និងអាលុយមីញ៉ូមនៅលើជញ្ជាំងចំហៀង យើងបានរកឃើញថា indium បានបាត់នៅលើជញ្ជាំងចំហៀងនៃ nanowires ដែលសែល GaN/AlGaN រុំស្នូល MQW ដូចជា burrito ។អ្នកស្រាវជ្រាវបានរកឃើញថា មាតិកា Al នៃសែល GaN/AlGaN នេះបានថយចុះបន្តិចម្តងៗពីផ្នែកចាក់អេឡិចត្រុងនៃ nanowires ទៅផ្នែកចាក់រន្ធ។ដោយសារភាពខុសគ្នានៃផ្នែកខាងក្នុងរបស់ GaN និង AlN កម្រិតសំឡេងនៃមាតិកា Al នៅក្នុងស្រទាប់ AlGaN បង្កើតអេឡិចត្រុងសេរី ដែលងាយស្រួលក្នុងការហូរចូលទៅក្នុងស្នូល MQW និងកាត់បន្ថយអស្ថិរភាពពណ៌ដោយកាត់បន្ថយវាលប៉ូល
តាមការពិត អ្នកស្រាវជ្រាវបានរកឃើញថា សម្រាប់ឧបករណ៍ដែលមានអង្កត់ផ្ចិតតិចជាងមួយមីក្រូន ប្រវែងរលកកំពូលនៃអេឡិចត្រូលីត្រ ឬការបញ្ចេញពន្លឺដែលបណ្ដាលមកពីចរន្ត នៅតែស្ថិតស្ថេរតាមលំដាប់នៃទំហំនៃការផ្លាស់ប្តូរនៃការចាក់បញ្ចូលបច្ចុប្បន្ន។លើសពីនេះ ក្រុមការងាររបស់សាស្រ្តាចារ្យ Mi ពីមុនបានបង្កើតវិធីសាស្រ្តសម្រាប់ដាំថ្នាំកូត GaN ដែលមានគុណភាពខ្ពស់នៅលើស៊ីលីកុន ដើម្បីដាំបន្ទះ nanowire នៅលើស៊ីលីកុន។ដូច្នេះ µled ស្ថិតនៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម Si ដែលត្រៀមរួចជាស្រេចសម្រាប់ការរួមបញ្ចូលជាមួយឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក CMOS ផ្សេងទៀត។
µled នេះងាយស្រួលមានកម្មវិធីសក្តានុពលជាច្រើន។វេទិកាឧបករណ៍នឹងកាន់តែរឹងមាំនៅពេលដែលរលកនៃការបំភាយនៃអេក្រង់ RGB រួមបញ្ចូលគ្នានៅលើបន្ទះឈីបពង្រីកទៅជាពណ៌ក្រហម។
ពេលវេលាផ្សាយ៖ មករា-១០-២០២៣